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  • 型号: BSO615C G
  • 制造商: Infineon
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSO615C G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSO615C G价格参考。InfineonBSO615C G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSO615C G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSO615C G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOICMOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

3.1 A, - 2 A

Id-连续漏极电流

3.1 A, - 2 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSO615C GSIPMOS®

数据手册

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产品型号

BSO615C G

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

100 mOhms, 270 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

100 mOhms, 270 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

+/- 60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

75 ns, 105 ns

下降时间

18 ns, 90 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 20µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

380pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

22.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

110 毫欧 @ 3.1A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-DSO-8

其它名称

BSO615C
BSO615C G-ND
BSO615CG
BSO615CGHUMA1
BSO615CGT
BSO615CGXT
BSO615CINTR
SP000216311

典型关闭延迟时间

25 ns, 125 ns

功率-最大值

2W

包装

带卷 (TR)

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

100 mOhms, 270 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

DSO-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

汲极/源极击穿电压

+/- 60 V

漏极连续电流

3.1 A, - 2 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.1A,2A

系列

BSO615

通道模式

Enhancement

配置

Dual Dual Drain

零件号别名

BSO615CGHUMA1 SP000216311

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